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飞兆NPT沟道IGBT针对电磁加热应用提供最佳抗雪崩能力

晨怡热管 2007/3/26 23:11:47
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)的FGA25N120ANTD 1200V NPT沟道IGBT结合最佳的抗雪崩能力和经优化的开关和导通损耗性能权衡,能为电磁加热(IH)应用提高系统可靠性和效率。

 

FGA25N120ANTD专为微波炉、IH电饭煲和其它IH炊具而设计,与上一代器件相比,它的工作温度可降低达10℃,因而能够延长系统寿命。NPT沟道IGBT采用飞兆半导体的专利沟道技术和非穿通型(NPT)技术。这种优化的单元设计和薄型晶圆制造工艺使得FGA25N120ANTD能够耐受最大450mJ的雪崩能量,确保在异常的雪崩模式情况下仍能进行无故障运作。

 

飞兆半导体功能功率部副总裁Taehoon Kim称:“在电磁加热设备中,不稳定的功率、AC线路浪涌和系统故障会引起雪崩模式情况,导致机器瞬间失效。为了解决IH应用中的这些可靠性问题,我们的新型1200V NPT沟道IGBT提供业界最佳的抗雪崩能力,还同时优化性能方面的权衡,以降低工作温度及提升总体系统效率。”

 

FGA25N120ANTD的其它特性和系统优势包括:低饱和电压 (VCE(sat), typ=2.0V @ IC=25A和TC=25°C)以限制导通损耗;低开关损耗(Eoff, typ = 0.96mJ @ IC=25A和TC=25°C)以减少系统功耗;以及内置FRD(快速恢复二极管)以简化电路设计和减少元件数。

 

FGA25N120ANTD以TO-3P无铅封装形式供货,能达到甚至超越IPC/JEDEC的 J-STD-020B标准要求,并符合现已生效的欧盟标准。订购1,000个时,价格为每个2.50美元,有现货供应,交货期为收到订单后12周内。
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