散热设计 变频器散热设计 逆变电源散热设计 斩波器散热设计 交直流伺服散热设计
变频驱动中发热最大的莫过于IPM或IGBT，估算热损耗是决定散热措施的前提。
- 功耗估算
通态损耗：
通态总功耗=饱和压降×通态电流。
在感性负载中，可以近似的通过VFM×续流二极管平均电流值来计算续流二极管功耗。
开关功耗：
当PWM信号频率高于5KHZ时功耗会显著增加。
得到最精确的方法是测量IC和VCE的波形。将此波形逐点相乘即得到功耗的瞬时波形，此波形是以焦耳/脉冲为单位的开关能量，该面积用作图积分来计算。总开关功耗是开通及关断的功耗之和。平均功耗是单脉冲开关能量与PWM频率相乘得到的。
即：PSW=FPWM×（ESW（on）+ESW（OFF））
- VVVF变频器功耗计算
在变频器应用中IGBT的电流和占空比经常变化，下面公式可以应用时估算。
通用变频器主电路及输出波形
A．IGBT的功耗
B.每一个IGBT开关的损耗
C．每一个IGBT的总功耗
D．二极管功耗
E．每一臂的功耗
符号注释：
ESW(on)：T=125ºC;峰值电流ICP下，每个脉冲对应的IGBT开通能量。
ESW（off）：T=125ºC；峰值电流ICP下，每个脉冲对应的IGBT关断能量。
FSW：变频器每臂的PWM开关频率（通常FSW=FC）。
ICP：正弦输出的电流峰值。
VCE（sat）:T=125ºC;峰值电流ICP下，IGBT的饱和电压。
VEC：IEP情况下，续流二极管的正向压降。
D：PWM信号占空比。
θ：输出电压与电流间的相位角。（功率因数=COSθ）
- 平均结温的估算
IGBT的最大结温是150ºC，在任何情况下都不能超过该值。
Rth可以在数据手册中查到。
Rth(j-c)=标定的结壳热阻。
TJ=半导体结温。
PT=器件的总平均功耗（PSW+PSS）
TC=模块的基板温度。
热计算方法
- 瞬态结温升的计算
瞬态热阻特性（IGBT部分） 瞬态热阻特性（FWD部分）
散热器的推荐散热器的推荐
请在散热器表面使用导热膏脂。推荐使用TLZ340系列。
安装时应受力均匀，避免用力过度而损坏，按下图顺序操作。
